Shine когда-либо будет выставлен в Electronica в Мюнхене 12-15 ноября 2024 года! Приходите к нам на стенде 118/2, зал C5
Ибрагейн Я Проиджодель Описани Зapas Дюйт
STMicroelectronics STAC4932B Stmicroelectronics RF MOSFET 100, 500 мам 123 мг 26 дБ 1000 Вт stac244b
7106
Вналишии
Полузите
STMicroelectronics STP165N10F4 Stmicroelectronics N-kanal 100 v 120A (TC) 315-т (TC) чereSeReSeRSTIEED-220
8752
Вналишии
Полузите
STMicroelectronics STP28NM50N Stmicroelectronics N-Kanal 500 V 21a (Tc) 150 yt (tc).
3581
Вналишии
Полузите
onsemi MTD6N15T4GV OnSemi N-kanal 150-6a (tc) 1,25 м.
1571
Вналишии
Полузите
onsemi NDD04N50Z-1G OnSemi N-kanal 500-3а (Tc) 61w (tc) чereз otwerstie i-pak
6758
Вналишии
Полузите
onsemi NDF02N60ZG OnSemi N-Kanal 600-2,4A (TC) 24W (TC).
6827
Вналишии
Полузите
onsemi NDF04N62ZG OnSemi N-kanal 620-4,4а (TC) 28W (TC) чereSereSeRstie-DO-220FP
6014
Вналишии
Полузите
onsemi NDF11N50ZG OnSemi N-kanal 500-12a (tc) 39w (tc).
5649
Вналишии
Полузите
onsemi NSR05F20NXT5G OnSemi Диди 20- 500 май
9
Вналишии
Полузите
onsemi NSR05F40NXT5G OnSemi Диди 40 В 500 май
365
Вналишии
Полузите
onsemi NSR20F20NXT5G OnSemi Дид 20 В 2А
1
Вналишии
Полузите
onsemi NTD5865N-1G OnSemi N-kanal 60-43a (tc) 71w (tc) poverхnosstnoe
1318
Вналишии
Полузите
onsemi NTD5865NL-1G OnSemi N-kanal 60-46a (tc) 71w (tc) чerene otwerstie i-pak
8318
Вналишии
Полузите
onsemi NTD5865NLT4G OnSemi N-kanal 60-46a (tc) 71w (tc) poverхnosstnoe
8023
Вналишии
Полузите
onsemi NTD5865NT4G OnSemi N-kanal 60-43a (tc) 71w (tc) poverхnosstnoe
8423
Вналишии
Полузите
onsemi NTD5867NL-1G OnSemi N-канал 60 В 20А (TC) 36W (TC) чereз oTwerStie i-pak
4662
Вналишии
Полузите
onsemi NTTFS5820NLTAG OnSemi N-kanal 60 v 11A (TA), 37A (TC) 2,7 st (TA), 33-й (TC) POWRхNOSTNONOCHPLENIENE 8-WDFN (3,3x3,3)
3506
Вналишии
Полузите
onsemi NTTFS5820NLTWG OnSemi N-kanal 60 v 11A (TA), 37A (TC) 2,7 st (TA), 33-й (TC) POWRхNOSTNONOCHPLENIENE 8-WDFN (3,3x3,3)
4283
Вналишии
Полузите
Texas Instruments CSD17507Q5A Тел N-kanal 30- 13а (TA), 65A (TC) 3W (TA) PoverхnoStnoe kreppleenee 8-vsonp (5x6)
6
Вналишии
Полузите
Micro Commercial Co SMLJ60S2-TP МИКРОМЕР СО Диди 200
5
Вналишии
Полузите
Micro Commercial Co SMLJ60S10-TP МИКРОМЕР СО DIOD 1000- 6A-porхnoStnoe kreplepleene smc (do-214ab)
30
Вналишии
Полузите
IXYS IXTF1N400 Ixys N-kanal 4000-1a (tc) 160-т (tc) чereз otwerstie isoplus i4-pac ™
8958
Вналишии
Полузите
Nexperia USA Inc. 2N7002BK,215 Nexperia USA Inc. N-kanal 60-350-мам (tata) 370 м (tata)
660
Вналишии
Полузите
Nexperia USA Inc. 2N7002BKS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET ARRAY 60 В 300 м.
455
Вналишии
Полузите
NXP USA Inc. BA277,135 NXP USA Inc. Станодарт rf -Диод -Одиногня 35- 100 мам 715 м.
7570
Вналишии
Полузите
NXP USA Inc. BA277,335 NXP USA Inc. Станодарт rf -Диод -Одиногня 35- 100 мам 715 м.
6945
Вналишии
Полузите
NXP USA Inc. BAP50-03,135 NXP USA Inc. Rf -diodnnый шtipth -odinoчnый 50- 50 мам 500 м.
8121
Вналишии
Полузите
Nexperia USA Inc. BAT46WH,115 Nexperia USA Inc. Дидика 100 В.
431
Вналишии
Полузите
NXP USA Inc. BB131,135 NXP USA Inc. Varactors Single 30 V PorхnoStnoe krepleneeg Sod-323
8349
Вналишии
Полузите
NXP USA Inc. BB179B,315 NXP USA Inc. Varactors Single 32 В.
5917
Вналишии
Полузите

POHALUйSTA, OTPRARAHTER RFQ, Mы OTWETOTIM.