Ибрагейн | Я | Проиджодель | Описани | Зapas | Дюйт | |
---|---|---|---|---|---|---|
OnSemi | Модулбпитания igbt 3 февраля 600 v 5 a 26-powerdip модуль (1024 ", 26,00 мм) | 106 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания igbt 3 февраля 600 v 10 a 26-powerdip модуль (1024 ", 26,00 мм) | 2843 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Igbt 1 феврал 600 v 30 A 27-Powerdip модуль (1205 ", 30,60 мм) | 7055 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания МОСФЕТ 3 ФАБА 500- 1,1 A 23-POWERDIP Модул (0,551 ", 14,00 мм) | 6030 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания МОСФЕТ 3 ФАБА 500 В 2 А. 23-POWERDIP Модуль (0,748 ", 19,00 ММ) | 8943 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Igbt 3 февраля 600 v 15 A 26-Powerdip Модуль (1024 ", 26,00 мм) | 72 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания igbt 1 феврал 600 v 20 a 27-powerdip модуль (1,205 ", 30,60 мм) | 6691 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Мосфет 3 фетара | 450 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания igbt 3 февраля 600 v 20 a 27-powerdip модуль (1205 ", 30,60 мм) | 8200 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Igbt 3 февраля 600 v 15 A 26-Powerdip Модуль (1024 ", 26,00 мм) | 2369 Вналишии | Полузите | |||
Stmicroelectronics | Модулбпитания Igbt 3 февраля 600 v 20 a momodooly 38-powerdip (1,146 ", 29,10 мм) | 4843 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Igbt 3 февраля 600 v 15 A 26-Powerdip Модуль (1024 ", 26,00 мм) | 3258 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулб в аспекте-питании 26-powerdip (1,024 ", 26,00 мм) | 2125 Вналишии | Полузите | |||
![]() | OnSemi | Модулбпитания модула фета 3 февраля 500- 1,5 модула | 3925 Вналишии | Полузите | ||
![]() | OnSemi | МОДУЛАЙ МОДУЛИПИ | 4323 Вналишии | Полузите | ||
OnSemi | Модулбпитания Модуль Мосфет 3 февраля 500- 1 А 23-псевдо | 8029 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания igbt 3 февраля 600 v 20 a 27-powerdip модуль (1205 ", 30,60 мм) | 1078 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Igbt 3 февраля 600 v 10 A 27-Powerdip модуль (1,205 ", 30,60 мм) | 3491 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Igbt 3 февраля 600 v 5 модул 27-powerdip (1205 ", 30,60 мк) | 3809 Вналишии | Полузите | |||
Microsemi Corporation | Модулбпитания Модулб Igbt Half Bridge 1,2 К. 400 A 6-MANHERSKIй Модули | 6098 Вналишии | Полузите | |||
ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | Модулбпитания Модулб Igbt Half Bridge 1,2 К. 420 AMODULOH 6-MAN | 8394 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания igbt 3 февраля 600 v 10 a 26-powerdip модуль (1024 ", 26,00 мм) | 71 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Модул Масфет 3 Фахя 60-2,6 МОДУЛЕГ | 5388 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Igbt 3 февраля 600 v 15 A 27-Powerdip Модуль (1,205 ", 30,60 мм) | 5577 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания МОСФЕТ 3 ФАБА 250- 1,5 А 23-POWERDIP Модуль (0,748 ", 19,00 мм) | 7331 Вналишии | Полузите | |||
OnSemi | Модулбпитания Igbt 3 февраля 600 v 15 A 27-Powerdip Модуль (1,205 ", 30,60 мм) | 3436 Вналишии | Полузите | |||
![]() | OnSemi | Модулб Силеоводжеска на половину моста 300 В 180. | 3289 Вналишии | Полузите | ||
OnSemi | Модулбпитания Igbt 3 февраля 600 v 15 A 27-Powerdip Модуль (1,205 ", 30,60 мм) | 1350 Вналишии | Полузите | |||
Infineon Technologies | Модулбпитания Модул Игбт 3 февраля 600 м. 10 А. 29-MANGAL-Модул, 21 С.Синте, С. Формировананн. | 5438 Вналишии | Полузите | |||
Infineon Technologies | МОДУЛЕЙ ПИТАНЕВО МОДУЛИ ИГБТ 3 ФАН 600- 30 МОДУЛЕР 22-МАНЕРККОГОМОДЕ | 4330 Вналишии | Полузите |
POHALUйSTA, OTPRARAHTER RFQ, Mы OTWETOTIM.