Shine когда-либо будет выставлен в Electronica в Мюнхене 12-15 ноября 2024 года! Приходите к нам на стенде 118/2, зал C5
Моя тележкаТраншисторб (104783)
| Ибрагейн | Я | Проиджодель | Описани | Зapas | Дюйт | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Stmicroelectronics | RF MOSFET 100, 500 мам 123 мг 26 дБ 1000 Вт stac244b | 7106 Вналишии | Полузите | |||
| Stmicroelectronics | N-kanal 100 v 120A (TC) 315-т (TC) чereSeReSeRSTIEED-220 | 8752 Вналишии | Полузите | |||
| Stmicroelectronics | N-Kanal 500 V 21a (Tc) 150 yt (tc). | 3581 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 150-6a (tc) 1,25 м. | 1571 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 500-3а (Tc) 61w (tc) чereз otwerstie i-pak | 6758 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-Kanal 600-2,4A (TC) 24W (TC). | 6827 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 620-4,4а (TC) 28W (TC) чereSereSeRstie-DO-220FP | 6014 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 500-12a (tc) 39w (tc). | 5649 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 60-43a (tc) 71w (tc) poverхnosstnoe | 1318 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 60-46a (tc) 71w (tc) чerene otwerstie i-pak | 8318 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 60-46a (tc) 71w (tc) poverхnosstnoe | 8023 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 60-43a (tc) 71w (tc) poverхnosstnoe | 8423 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-канал 60 В 20А (TC) 36W (TC) чereз oTwerStie i-pak | 4662 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 60 v 11A (TA), 37A (TC) 2,7 st (TA), 33-й (TC) POWRхNOSTNONOCHPLENIENE 8-WDFN (3,3x3,3) | 3506 Вналишии | Полузите | |||
| OnSemi | N-kanal 60 v 11A (TA), 37A (TC) 2,7 st (TA), 33-й (TC) POWRхNOSTNONOCHPLENIENE 8-WDFN (3,3x3,3) | 4283 Вналишии | Полузите | |||
| Тел | N-kanal 30- 13а (TA), 65A (TC) 3W (TA) PoverхnoStnoe kreppleenee 8-vsonp (5x6) | 6 Вналишии | Полузите | |||
| Ixys | N-kanal 4000-1a (tc) 160-т (tc) чereз otwerstie isoplus i4-pac ™ | 8958 Вналишии | Полузите | |||
| Nexperia USA Inc. | N-kanal 60-350-мам (tata) 370 м (tata) | 660 Вналишии | Полузите | |||
| Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 60 В 300 м. | 455 Вналишии | Полузите | |||
| Nexperia USA Inc. | БИПОЛАРНА (bjt) Трангисторн -айр. | 81 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 5 V 12 MA 800 MMGц SOT-143B | 4938 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 5 V 12 MA 800 MMGц SOT-143R | 9420 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 5 V 15 MA 800 MMGц 6-TSSOP | 7660 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 5 V 15 MA 800 MMGц 6-TSSOP | 4804 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 5 V 800 MMGц 20 DB SOT-143B | 6128 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 5 V 800 MMGц 20 DB CMPAK-4 | 9482 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 9 V 800 MMGц 20 DB SOT-143R | 2846 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 5 V 12 MA 400 MMGц 30,5 ДБ 200 м. | 7326 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 5 V 15 MA 400 MMGц 27 DB 6-TSSOP | 5300 Вналишии | Полузите | |||
| NXP USA Inc. | RF MOSFET 5 V 12 MA 400 MMGц 30 DB 6-TSSOP | 2153 Вналишии | Полузите |
POHALUйSTA, OTPRARAHTER RFQ, Mы OTWETOTIM.
