Shine когда-либо будет выставлен в Electronica в Мюнхене 12-15 ноября 2024 года! Приходите к нам на стенде 118/2, зал C5
Моя тележкаRerзystorы (1593543)
| Ибрагейн | Я | Проиджодель | Описани | Зapas | Дюйт | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components | 1 мкм ± 2% 1-й, а, 0207 Анти-сулфур, автомобиль AEC-Q200, импуль, В. | 201 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 34 КОМ ± 0,1% 0,25 Вт, 1/4. | 500 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 3,3 км ± 0,1% 0,063 st, reshystor чipa 1/16 - 0402 (1005 МЕТРЕСКОН | 1 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 33 om ± 10% 2 - | 48 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 1 komm ± 5% 7 sthereз otwerstie rerhyshstornoe -plamennnonnoe -plamenen | 1 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 100 om ± 0,1% 0,063 т, reзystor чipa 1/16 st.t. 0402 (1005 МЕТРИКА) МЕТАЛЛИСКА | 1 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 3,48 km ± 0,1% 0,063 st, reзystor чipa 1/16 ст. | 25 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 1,05 кмм ± 0,1% 0,1 st, reshystor чipa 1/10 ст. | 71 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 2 КОМ ± 0,1% 0,1 В. | 4 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 3,32 км ± 0,1% 0,1. | 12 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 13,3 Ком ± 0,1% 0,1 st, rerзystor чipa 1/10 ст. | 12 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Welwyn | 51,1 кмм ± 0,1% 0,1 st, reshystor чipa 1/10 ст. | 80 Вналишии | Полузите | |||
| Виал | 180 мм ± 1% 0,5 st, rerзystor чipa 1/2 шт. | 6979 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/IRC | 2,49 км ± 0,1% 0,3333-reзystor чipa 1/3 ст. | 9 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 10k omem ± 0,1% Моостя 100 мгт ороэльирована 4 сэтиреиторово /масиса ± 25.154. шIrIna 3,90 мм) | 2020 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 10k omem ± 0,1% Мооппия 100 мг. | 4823 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 10k omemememememepstath hymememonthe 8 CeTi-reShstoRow/MmaSsiv. 3,90 мм) | 7723 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 20k omem ± 0,1% моче в 100 м. | 7468 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 10k om ± 0,1% моче в 100 мг. | 6699 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 1K OHM ± 0,1% 100 мгмостеостеат на эlementyrowannoй 4 CeTiROSTOROWOROWOROWOROWOROWOROWOROWOROWOROWOROWOROWOROWOROW | 2855 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 100K ± 0,5% Мохности 100 мг. | 2821 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 10k om ± 0,1% Мохности 100 мгт. | 7762 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 20k om ± 0,1% Мохностея 100 мгт. | 8320 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 10K, 20K omememepthe. | 4011 Вналишии | Полузите | |||
 | TT Electronics/Bi | 4,7k om ± 0,25% 100 мг. | 9607 Вналишии | Полузите | ||
| TT Electronics/Bi | 47K OHM ± 0,25% 100 мтмовина на na-memementyrovannoй 4 seTiReShstorovn/mamaSciv ± 25 чasteй-narovn. | 9477 Вналишии | Полузите | ||
| TT Electronics/Bi | 47K OHM ± 0,25% 100 мтмопен. | 2138 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 510 ± 5% Моаноп. 100 мг. | 8052 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 10K OHM ± 2% 100 мВОНЕСТВЕННОГО НАМЕР, ВСЕ, ВЕПУХЕННАНА 15 СЕЙТИРИСТРОВ/МАССИВ. | 3345 Вналишии | Полузите | |||
| TT Electronics/Bi | 4,7K Ом ± 2% 100 м. | 2331 Вналишии | Полузите |
POHALUйSTA, OTPRARAHTER RFQ, Mы OTWETOTIM.
