Shine когда-либо будет выставлен в Electronica в Мюнхене 12-15 ноября 2024 года! Приходите к нам на стенде 118/2, зал C5
Моя тележкаДискратн -пропрововододнико -пройкт (291198)
| Ибрагейн | Я | Проиджодель | Описани | Зapas | Дюйт | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Stmicroelectronics | RF MOSFET 100, 500 мам 123 мг 26 дБ 1000 Вт stac244b | 7106 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| Stmicroelectronics | N-kanal 100 v 120A (TC) 315-т (TC) чereSeReSeRSTIEED-220 | 8752 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| Stmicroelectronics | N-Kanal 500 V 21a (Tc) 150 yt (tc). | 3581 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 150-6a (tc) 1,25 м. | 1571 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 500-3а (Tc) 61w (tc) чereз otwerstie i-pak | 6758 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-Kanal 600-2,4A (TC) 24W (TC). | 6827 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 620-4,4а (TC) 28W (TC) чereSereSeRstie-DO-220FP | 6014 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 500-12a (tc) 39w (tc). | 5649 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | Диди 20- 500 май | 9 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | Диди 40 В 500 май | 365 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | Дид 20 В 2А | 1 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 60-43a (tc) 71w (tc) poverхnosstnoe | 1318 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 60-46a (tc) 71w (tc) чerene otwerstie i-pak | 8318 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 60-46a (tc) 71w (tc) poverхnosstnoe | 8023 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 60-43a (tc) 71w (tc) poverхnosstnoe | 8423 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-канал 60 В 20А (TC) 36W (TC) чereз oTwerStie i-pak | 4662 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 60 v 11A (TA), 37A (TC) 2,7 st (TA), 33-й (TC) POWRхNOSTNONOCHPLENIENE 8-WDFN (3,3x3,3) | 3506 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| OnSemi | N-kanal 60 v 11A (TA), 37A (TC) 2,7 st (TA), 33-й (TC) POWRхNOSTNONOCHPLENIENE 8-WDFN (3,3x3,3) | 4283 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| Тел | N-kanal 30- 13а (TA), 65A (TC) 3W (TA) PoverхnoStnoe kreppleenee 8-vsonp (5x6) | 6 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| МИКРОМЕР СО | Диди 200 | 5 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| МИКРОМЕР СО | DIOD 1000- 6A-porхnoStnoe kreplepleene smc (do-214ab) | 30 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| Ixys | N-kanal 4000-1a (tc) 160-т (tc) чereз otwerstie isoplus i4-pac ™ | 8958 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| Nexperia USA Inc. | N-kanal 60-350-мам (tata) 370 м (tata) | 660 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 60 В 300 м. | 455 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| NXP USA Inc. | Станодарт rf -Диод -Одиногня 35- 100 мам 715 м. | 7570 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| NXP USA Inc. | Станодарт rf -Диод -Одиногня 35- 100 мам 715 м. | 6945 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| NXP USA Inc. | Rf -diodnnый шtipth -odinoчnый 50- 50 мам 500 м. | 8121 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| Nexperia USA Inc. | Дидика 100 В. | 431 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| NXP USA Inc. | Varactors Single 30 V PorхnoStnoe krepleneeg Sod-323 | 8349 Вналишии | Poluhite цiotatu | |||
| NXP USA Inc. | Varactors Single 32 В. | 5917 Вналишии | Poluhite цiotatu |
POHALUйSTA, OTPRARAHTER RFQ, Mы OTWETOTIM.
