Shine Ever примет участие в выставке ELECTRONICA в Мюнхене 12–15 ноября 2024 г.! ПРИХОДИТЕ К НАМ НА СТЕНД 118/2, зал C5
Моя корзинаМодули ИК-трансиверов(215)
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Запас | Действие | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 5245 В наличии | Узнать цену | ||
| Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сбоку | 6315 В наличии | Узнать цену | ||
| Зилог | 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 6048 В наличии | Узнать цену | |||
| Зилог | 1152 Мбит/с (MIR) IRDA-трансивер, вид сбоку | 4762 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 8075 В наличии | Узнать цену | |||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 9944 В наличии | Узнать цену | |||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 3729 В наличии | Узнать цену | |||
| Острая микроэлектроника | 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 8943 В наличии | Узнать цену | |||
| Острая микроэлектроника | 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 6901 В наличии | Узнать цену | ||
| Зилог | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 1421 В наличии | Узнать цену | |||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 5933 В наличии | Узнать цену | |||
| Острая микроэлектроника | 1152 Мбит/с (MIR) IRDA-трансивер, вид сбоку | 1778 г. В наличии | Узнать цену | |||
| Острая микроэлектроника | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 8882 В наличии | Узнать цену | ||
| Острая микроэлектроника | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 7241 В наличии | Узнать цену | ||
| Зилог | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 5117 В наличии | Узнать цену | |||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 кбит/с, вид сверху | 5133 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 4 Мбит/с, вид сбоку | 8668 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | 115,2 кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сбоку | 5579 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 1722 г. В наличии | Узнать цену | ||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2205LYPWRКомпания Tape & Reel (TR) упаковала его вместе своими материалами. Эта информация представлена в 16-TSSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) в целях экономии места на плате. Это высокопроизводительный и надежный тип энергонезависимой статической оперативной памяти. Для рабочей среды следует устанавливать температуру от -20°C до 70°C. Для обеспечения работы обычного устройства необходимо подавать напряжение 3–3,6 В. Используемый метод монтажа — поверхностный монтаж. Помимо этого номера детали, существуют и другие электронные компоненты, которые можно найти по базовому номеру детали BQ2205. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 16 оконечных устройств. На устройстве подается примерно 3,3В вольта. Он настроен на 16 контактов. Предел температуру оплавления 260. Определенным компонентом с наименьшей устойчивостью к высоким температурам. Это часы электроники с 16 режимами. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». 1 вывод для обеспечения передачи данных. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 3,3В. ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ — это тип оригинальной интегральной схемы, используемой в этом устройстве. Напряжение должно быть выше 3 В при минимальном значении напряжения питания. Что касается напряжения, то максимальное напряжение 3,6 возможно без ухудшения характеристик или повреждения внутренней цепи. На внутреннюю цепь можно подавать максимальный ток 0,5 мА, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения цепи. Особенности BQ2205LYPWRДоступен в корпусе 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -20°C~70°C Приложения BQ2205LYPWRСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2205LYPWR.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2205LYPWПродукт упакован материалами Туба. 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) предусмотрена для экономии места на плате. Энергонезависимая SRAM отличается высоким качеством и надежностью. Рабочая температура должна быть установлена на уровне -20°C~70°C. Для нормальной работы должно подаваться напряжение 3–3,6 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали BQ2205. 16 оконечных устройств предотвращают отражения сигналов от конечных линий передачи. 3,3В – это напряжение питания устройства. На плате расположено 16 контактов. Предел 260 температур плавления. Определен компонентом с наименьшим температурным допуском. Это своего рода электронная аппаратура с 16 режимами. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. При наличии источников питания 3,3 В можно достичь высокой эффективности. В качестве оригинальной микросхемы используется тип ЦЕПИ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Тип информационной памяти – SRAM. Минимальное напряжение питания должно составлять 3 В. При воздействии на нее максимального напряжения 3,6 В не происходит повреждения или ухудшения характеристики внутренней цепи. Максимальный ток, который можно обеспечить без ухудшения характеристики или повреждения внутренней схемы, составляет 0,5 мА. Особенности BQ2205LYPWДоступен в корпусе 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -20°C~70°C Приложения BQ2205LYPWСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2205LYPW.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2204ASN-NПродукт упакован материалами Туба. Эта информация представлена в формате 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) в целях экономии места на плате. В данном случае это чрезвычайно надежный и качественный тип энергонезависимой SRAM. Рекомендуемая рабочая температура -40°C~85°C. Для нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали BQ2204 можно использовать для поиска других электронных деталей. Для предотвращения отражения от конечных линий передачи имеется 16 оконечных устройств. Работает при напряжении питания 5В. Он настроен на 16 контактов. В зависимости от того, насколько компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, значение 260 будет определять предел температуры оплавления. Он состоит из 16 каналов и представляет собой своеобразную электронную аппаратуру. Он подпадает под соблюдение схемы управления питанием. Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Обеспечивая источник питания напряжением 5 В, можно достичь высокого уровня эффективности. Минимальное значение напряжения питания должно быть выше 4,5 В. При воздействии максимального напряжения 5,5 В характеристики внутренней цепи не повреждаются и не ухудшаются. Максимальный ток, который можно обеспечить без ухудшения характеристики или повреждения внутренней схемы, составляет 6 мА. Особенности BQ2204ASN-NДоступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения BQ2204ASN-NСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASN-N.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2205LYPWRG4В комплект поставки упаковочных материалов входит лента и катушка (TR). В целях экономии места на плате предусмотрена в корпусе 16-ЦСОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Этот тип энергонезависимой SRAM отличается высоким качеством и обеспечивает надежную работу. Рекомендуемая рабочая температура -20°C~70°C. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 3В~3,6В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Кроме того, можно найти дополнительные электронные компоненты, используя базовый номер детали BQ2205. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи используются 16 оконечных устройств. Данное устройство питается напряжением 3,3В. На этой плате настроены контакты 16. Это основано на компонентах с наименьшей устойчивостью к минимальным температурам, которые мы определяем предел температуры плавления 260. В этом процессе изменяется электронное устройство с 16 режимами. Схемы управления питанием — это подкатегория, в которую он включен. Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 3,3В. Как видите, тип оригинальной микросхемы — ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Минимальное значение напряжения питания должно быть выше 3В. Можно подавать напряжение до 3,6В без повреждения внутренней схемы или ухудшения характеристики. Можно подать ток не более 0,5 мА, не вызывая ухудшения характеристик или повреждения внутренней цепи. Особенности BQ2205LYPWRG4Доступен в корпусе 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -20°C~70°C Приложения BQ2205LYPWRG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2205LYPWRG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2201SNПредоставляется упаковка с материалами Туба. Он оснащен 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) для экономии места на плате. Энергонезависимая SRAM отличается высоким качеством и надежностью. Рабочая температура должна быть установлена на уровне 0°C~70°C. Напряжение, необходимое для его нормальной работы, должно составлять 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Другие комплектующие электронные компоненты можно найти по базовому номеру детали BQ2201. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовались 8 оконечных устройств. Работает при напряжении питания 5В. Он настроен на 8 контактов. Предел температуры оплавления 260. Определенным компонентом с наименьшей устойчивостью к высоким температурам. Электронная квартира с 8 режимами. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Источники питания на 5 В способны достичь высокого уровня КПД. Существует тип памяти, называемый SRAM, который используется для хранения информации. Можно подавать ток до 5 мА, не влияя на характеристики и не повреждая внутреннюю схему. 3мА работает от питания устройства. Устройство потребляет напряжение 5В от своего источника питания. Особенности BQ2201SNДоступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Рабочий ток питания 3 мА Рабочее напряжение питания 5В Приложения BQ2201SNСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SN.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор NSBMC096VF-25Трей упаковал его вместе своими материалами. 132-BQFP с бампером предназначен для экономии места на плате. Это высокопроизводительный и надежный тип динамической оперативной памяти (DRAM). Для рабочей среды следует устанавливать температуру 0°C~70°C. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. В дополнении к этому номеру имеются дополнительные доступные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали NSBMC096. Концы линии передачи имеют 132 окончания, чтобы предотвратить отражение сигналов от конца. 5В – напряжение питания устройства. Он состоит из 132 каналов и представляет собой своеобразную электронную аппаратуру. Этот элемент относится к подкатегории «Контроллеры памяти». Используя источник питания 5 В, можно добиться высокой эффективности. Его ИБП, УК и периферийные микросхемы интегрированы с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ DRAM. Максимальный ток питания не должен превышать 100 мА. Особенности NSBMC096VF-25Доступен в корпусе с бампером 132-BQFP. Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения NSBMC096VF-25Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments NSBMC096VF-25.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор DP8421AV-20Компания Tube упаковала его вместе своими материалами. Он встроен в 68-LCC (J-Lead) для экономии места на плате. Тип динамической оперативной памяти (DRAM) с высоким качеством и надежностью. Установите рабочую температуру 0°C~70°C. Напряжение, необходимое для его нормальной работы, должно составлять 4,5–5,5 В. Для установки устройства используется метод, известный как Surface Mount. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали DP8421. На плате настроения 68-контактный разъем. ИБП/УК/периферийные микросхемы устройства интегрированы с контроллером памяти типа DRAM. Особенности DP8421AV-20Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8421AV-20Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments DP8421AV-20.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор DP8422AV-20Предоставляется упаковка с материалами Туба. В результате он встроил 84-LCC (J-Lead) для экономии места. В данном случае это чрезвычайно надежный и качественный тип динамической оперативной памяти (DRAM). Установите рабочую температуру 0°C~70°C. Для нормальной работы необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Для получения базового номера детали DP8422 можно использовать дополнительные электронные компоненты. На плате настроений 84 контакта. Он интегрирован с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM в виде ИБП/UCS/периферийной микросхемы. Особенности DP8422AV-20Доступен в корпусе 84-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8422AV-20Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8422AV-20.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ксилинкс | Обзор XCCACE-TQG144IТовар упакован материалами Туба. 144-LQFP предусмотрен для экономии места на плате. Этот тип CompactFlash отличается высоким качеством и надежностью. Рабочая температура должна быть -40°C~85°C. Для нормальной работы необходимо подать напряжение 2,25–3,6 В. Технология монтажа основана на методе поверхностного монтажа. Имеются и другие дополнительные электронные компоненты, для номера детали XCCACE. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи используется 144 оконечных устройства. 2,5В – это напряжение питания устройства. На плате настроения 144-контактный разъем. В зависимости от того, насколько компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, значение 260 будет определять предел температуры оплавления. Он подпадает под обслуживание памяти контроллера. Источники питания 2,5/3,33,3В обеспечивают высокий КПД. Интегрированное устройство предназначено для работы с ВТОРИЧНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ ЗУ, ФЛЕШ-НАКОПИТЕЛЕМ в качестве ИБП/модулей/периферийных микросхем. Максимальный ток питания не должен превышать 0,42 мА. Особенности XCCACE-TQG144IДоступен в пакете 144-LQFP. CompactFlash как тип контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения XCCACE-TQG144IСуществует множество приложений для контроллеров памяти Xilinx Inc. XCCACE-TQG144I.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2204ASN-NTRТовар упакован с использованием материалов Tape & Reel (TR). 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Существует несколько типов энергонезависимой SRAM, качественного и надежного типа. Рекомендуемая рабочая температура -40°C~85°C. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Имеются и другие дополнительные электронные компоненты с номером детали BQ2204. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 16 оконечных устройств. На устройство подается напряжение 5В. Конфигурация контактов — 16. Предел температуры плавления НЕ УКАЗАНО Определенным компонентом с наименьшей устойчивостью к низким температурам. Всего в электронике этого типа 16 каналов. Для этого товара есть подкатегория «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. Источники питания 5В обеспечивают высокий КПД. Аналоговая микросхема такого типа обозначается как ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. В идеале напряжение питания должно быть выше 4,5В. В схеме можно подать напряжение до 5,5 В, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения внутренних компонентов. Можно подавать ток до 6 мА, не влияя на характеристики и не повреждая внутреннюю схему. Особенности BQ2204ASN-NTRДоступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения BQ2204ASN-NTRСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASN-NTR.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2204APNКомпания Tube упаковала его вместе своими материалами. 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Этот тип энергонезависимой SRAM отличается высоким качеством и обеспечивает надежную работу. 0°C~70°C — рекомендуемая рабочая температура. Для нормальной работы необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется методом сквозного монтажа. Помимо этого номера детали, существуют и другие электронные компоненты, которые можно найти по базовому номеру детали BQ2204. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 16 оконечных устройств. На устройство подается напряжение 5В. Он настроен на 16 контактов. Всего на этом типе электроники 16 каналов. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Передача данных по обеспечению использования счета 1 канал. Источники питания на 5 В способны достичь высокого уровня КПД. В качестве оригинальной микросхемы используется тип ЦЕПИ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Тип памяти SRAM используется для хранения данных. Напряжение питания должно быть не менее 4,5 В выше минимального значения. При воздействии максимального напряжения 5,5 В характеристики внутренней цепи не повреждаются и не ухудшаются. Максимальный ток, который можно подать без ухудшения характеристик или повреждения внутренней цепи, составляет всего 6 мА. Возможности BQ2204APNДоступен в корпусе 16-DIP (0,300, 7,62 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения BQ2204APNСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204APN.
| 999 В наличии | Узнать цену |
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
