Изображение | Часть | Производитель | Описание | Запас | Действие | |
---|---|---|---|---|---|---|
Ксилинкс | Обзор XCCACE-TQ144IОн упакован с лотком из материалов. В целях экономии места на плате он расположен в 144-LQFP. Это высококачественный и надежный тип CompactFlash. В качестве рабочей температуры следует устанавливать -40°С~85°С. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 2,25–3,6 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали XCCACE можно использовать для поиска других электронных деталей. Концы линии передачи имеют 144 оконечных устройства для предотвращения отражения сигналов от конца. Для устройства имеется напряжение питания 2,5В. На этом устройстве есть два 144 контакта. Предел температуры оплавления 225 Определенным компонентом с наименьшей устойчивостью к высоким температурам. Подкатегория «Контроллеры памяти» включает его. Обеспечивая источник питания 2,5/3,33,3 В, можно достичь высокого уровня эффективности. Микросхема IBP/UCS/периферийного устройства, интегрированная с ВТОРИЧНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ ЗУ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬЮ. В идеале максимальный ток питания не должен превышать 0,42 мА. XCCACE-TQ144I ОсобенностиДоступен в пакете 144-LQFP. CompactFlash как тип контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения XCCACE-TQ144IСуществует множество приложений для контроллеров памяти Xilinx Inc. XCCACE-TQ144I.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
Техасские инструменты | Обзор BQ2201PNВ комплект поставки входит пакет материалов из тюбика. Для экономии места на плате предусмотрен 8-DIP (0,300, 7,62 мм). Энергонезависимая SRAM отличается высоким качеством и надежностью. Установите рабочую температуру 0°C~70°C. Нормальная работа при напряжении 4,5–5,5 В требует подачи напряжения. Сквозное отверстие — это метод, необходимый для его установки. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали BQ2201. На конечных линиях передачи имеется 8 устройств для предотвращения отражения оконечных сигналов от концов. На устройстве подается примерно 5В вольт. На плате настроений 8 контактов. Он состоит из 8 каналов и представляет собой своеобразную электронную аппаратуру. Он включен в подкатегорию «Схемы управления питанием». Имеется 1 канал, предназначенный для программного обеспечения передачи данных. Если предусмотрено питание 5 В, можно достичь высокой эффективности. Как видите, тип оригинальной микросхемы — ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. На внутреннюю цепь можно подавать максимальный ток 5 мА, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения цепи. Это устройство, которое получает напряжение 5 В от своего источника питания. Особенности BQ2201PNДоступен в корпусе 8-DIP (0,300, 7,62 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Рабочее напряжение питания 5В Приложения BQ2201PNСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201PN.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
Техасские инструменты | Обзор DP8421AVX-20Он упакован с использованием материалов Tape & Reel (TR). В целях экономии места на плате он установлен в 68-LCC (J-Lead). Являясь конденсатором динамической оперативной памяти (DRAM), она обеспечивает превосходное качество и надежную работу. Рекомендуется установка 0°C~70°C в качестве рабочей температуры. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Имеются и другие дополнительные электронные компоненты с номером детали DP8421. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовались 68 оконечных устройств. В качестве напряжения питания устройства используется напряжение 5В. Компонент с наименьшим допуском к высоким температурам Установите температуру оплавления НЕ УКАЗАН. Он подпадает под обслуживание памяти контроллера. Обеспечивая источник питания напряжением 5 В, можно достичь высокого уровня эффективности. Интегрированное устройство предназначено для работы с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM в качестве ИБП/модулей/периферийных микросхем. Максимальный ток питания не должен превышать 75 мА. Особенности DP8421AVX-20Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8421AVX-20Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8421AVX-20.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
Техасские инструменты | Обзор BQ2201SNTRВ комплект поставки входит пакет материалов Tape & Reel (TR). 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Этот тип энергонезависимой SRAM отличается высоким качеством и обеспечивает надежную работу. Для рабочей среды следует устанавливать температуру 0°C~70°C. Для нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали BQ2201 можно использовать для поиска дополнительных электронных деталей, относящихся к этой детали. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 8-ми оконечных устройств. Напряжение питания устройства составляет 5В. На этой плате настроены контакты 8. Предел 260 температур нагрева, определенных компонентом, устойчивым к высоким температурам является низкая температура. В этом типе электроники имеется 8 каналов. Схемы управления питанием — это подкатегория, в которую он включен. Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 5В. В данном случае используется оригинальная микросхема ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Минимальное значение напряжения питания должно быть выше 4,5 В. Напряжения до 5,5 могут попадать без ухудшения характеристик системы и повреждения внутренних цепей. Максимальный ток, который можно подать без ухудшения характеристики внутренней цепи, составляет 5 мА. Особенности BQ2201SNTRДоступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения BQ2201SNTRСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SNTR.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
Техасские инструменты | Обзор BQ2201SN-NG4Материалы: Трубка включена в упаковку. В целях экономии места на плате он выполнен в формате 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). В данном случае это чрезвычайно надежный и качественный тип энергонезависимой SRAM. Рабочая температура должна быть установлена на уровне -40°C~85°C. Для нормальной работы устройства необходимо обеспечить напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, существуют и другие электронные компоненты, которые можно найти по базовому номеру детали BQ2201. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 8-ми оконечных устройств. Устройство имеет напряжение питания 5В. Устройство имеет 8 контактов. Предел нагревания до 260 градусов. Определенный компонент, который поддерживает высокую температуру, является низкой температурой. Использованы электронные апартаменты с 8 режимами. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Передача данных по обеспечению по 1 каналу. Источники питания 5В обеспечивают высокий КПД. В качестве микросхем оригинального типа используется ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Можно подавать ток до 5 мА, не влияя на характеристики и не повреждая внутреннюю схему. Устройство потребляет напряжение 5В от своего источника питания. Особенности BQ2201SN-NG4Доступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Рабочее напряжение питания 5В Приложения BQ2201SN-NG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SN-NG4.
| 999 В наличии | Узнать цену |
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.