Shine Ever примет участие в выставке ELECTRONICA в Мюнхене 12–15 ноября 2024 г.! ПРИХОДИТЕ К НАМ НА СТЕНД 118/2, зал C5
Изображение Часть Производитель Описание Запас Действие
BQ2204ASN-N Ультралайф

Обзор BQ2204ASN-N


Продукт упакован материалами Туба. Эта информация представлена ​​в формате 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) в целях экономии места на плате. В данном случае это чрезвычайно надежный и качественный тип энергонезависимой SRAM. Рекомендуемая рабочая температура -40°C~85°C. Для нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали BQ2204 можно использовать для поиска других электронных деталей. Для предотвращения отражения от конечных линий передачи имеется 16 оконечных устройств. Работает при напряжении питания 5В. Он настроен на 16 контактов. В зависимости от того, насколько компонент с наименьшей устойчивостью к высоким температурам, значение 260 будет определять предел температуры оплавления. Он состоит из 16 каналов и представляет собой своеобразную электронную аппаратуру. Он подпадает под соблюдение схемы управления питанием. Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Обеспечивая источник питания напряжением 5 В, можно достичь высокого уровня эффективности. Минимальное значение напряжения питания должно быть выше 4,5 В. При воздействии максимального напряжения 5,5 В характеристики внутренней цепи не повреждаются и не ухудшаются. Максимальный ток, который можно обеспечить без ухудшения характеристики или повреждения внутренней схемы, составляет 6 мА.

Особенности BQ2204ASN-N


Доступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм).
Энергонезависимая SRAM от типа контроллера
Рабочая температура -40°C~85°C

Приложения BQ2204ASN-N


Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASN-N.

  • Карты microSD для потребительских и мобильных приложений
  • Встроенные флэш-накопители «система в корпусе» (SiP) (eSSD)
  • Системы торговых точек
  • Факсимиле, принтеры и копировальные аппараты
  • Медицинский инструмент и промышленная продукция
  • Компьютеры
  • Серверы
  • Промышленный USB-накопитель
  • Твердотельные диски (SSD)
  • Встроенная флэш-память eMMC
999
В наличии
Узнать цену
BQ2201SN-N Ультралайф

Обзор BQ2201SN-N


Компания Tube упаковала его вместе своими материалами. В результате он выполнен в формате 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) для экономии места. Энергонезависимый тип SRAM с высоким качеством и надежностью. Рекомендуемая рабочая температура -40°C~85°C. Напряжение, необходимое для его нормальной работы, должно составлять 4,5–5,5 В. Технология монтажа основана на методе поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, существуют и другие электронные компоненты, которые можно найти по базовому номеру детали BQ2201. Обычно используется 8 оконечных устройств для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи. 5В – напряжение питания устройства. На плате настроений 8 контактов. В результате предел температуры оплавления 260° Определенный компонент имеет наименьшую устойчивость к минимальным температурам. В этом процессе применяется электронное оборудование с 8 условиями. Перечислены в подкатегории «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. В данном случае типом недорогой ИС является ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. SRAM — это тип памяти, необходимый для хранения информации. Минимальное напряжение питания должно поддерживаться на уровне 4,5 В. При воздействии максимального напряжения 5,5 В характеристики внутренней цепи не повреждаются и не ухудшаются. Максимальный ток, который можно обеспечить без ухудшения характеристики или повреждения внутренней схемы, составляет 5 мА.

Особенности BQ2201SN-N


Доступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм).
Энергонезависимая SRAM от типа контроллера
Рабочая температура -40°C~85°C

Приложения BQ2201SN-N


Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SN-N.

  • Мультичиповый корпус (MCP)
  • Микропроцессорные системы
  • Промышленный USB-накопитель
  • Сверхнадежный флэш-накопитель
  • Компьютеры
  • Серверы
  • Модули NVSRAM
  • Интеграция встроенного флэш-накопителя или встроенного диска (DoB)
  • Смарт-карты
  • Интернет-техника
999
В наличии
Узнать цену
DP8422AVX-25 Ультралайф

Обзор DP8422AVX-25


В комплект поставки упаковочных материалов входит лента и катушка (TR). Эта информация представлена ​​в 84-LCC (J-Lead) в целях экономии места на плате. Являясь конденсатором динамической оперативной памяти (DRAM), она обеспечивает превосходное качество и надежную работу. Можно поддерживать температуру в диапазоне от 0°C до 70°C. Для работы устройства необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Для получения базового номера детали DP8422 можно использовать дополнительные электронные компоненты. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовалось 84 окончания. Данное устройство питается напряжением 5В. Предельная температура оплавления НЕ УКАЗАНА Определенным компонентом с наименьшим температурным допуском. Для этого товара есть подкатегория Контроллеры памяти. Источники питания 5В обеспечивают высокий КПД. Внутри ИБП/УКС/периферийной микросхемы нет внутренних компонентов, поэтому он интегрирован с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM. Не следует превышать ток питания более 95 мА.

Особенности DP8422AVX-25


Доступен в корпусе 84-LCC (J-Lead).
Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера
Рабочая температура 0°C~70°C

Приложения DP8422AVX-25


Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments DP8422AVX-25.

  • Интернет-техника
  • Факсимиле, принтеры и копировальные аппараты
  • Встроенная вспышка
  • Флэш-накопитель безопасности
  • eUSB, встроенный USB-модуль
  • Смарт-карты
  • Системы торговых точек
  • Твердотельные диски (SSD)
  • Серверы
  • Сверхнадежный флэш-накопитель
999
В наличии
Узнать цену
BQ2201PN Ультралайф

Обзор BQ2201PN


В комплект поставки входит пакет материалов из тюбика. Для экономии места на плате предусмотрен 8-DIP (0,300, 7,62 мм). Энергонезависимая SRAM отличается высоким качеством и надежностью. Установите рабочую температуру 0°C~70°C. Нормальная работа при напряжении 4,5–5,5 В требует подачи напряжения. Сквозное отверстие — это метод, необходимый для его установки. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали BQ2201. На конечных линиях передачи имеется 8 устройств для предотвращения отражения оконечных сигналов от концов. На устройстве подается примерно 5В вольт. На плате настроений 8 контактов. Он состоит из 8 каналов и представляет собой своеобразную электронную аппаратуру. Он включен в подкатегорию «Схемы управления питанием». Имеется 1 канал, предназначенный для программного обеспечения передачи данных. Если предусмотрено питание 5 В, можно достичь высокой эффективности. Как видите, тип оригинальной микросхемы — ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. На внутреннюю цепь можно подавать максимальный ток 5 мА, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения цепи. Это устройство, которое получает напряжение 5 В от своего источника питания.

Особенности BQ2201PN


Доступен в корпусе 8-DIP (0,300, 7,62 мм).
Энергонезависимая SRAM от типа контроллера
Рабочая температура 0°C~70°C
Рабочее напряжение питания 5В

Приложения BQ2201PN


Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201PN.

  • Высокая надежность и промышленные твердотельные накопители (SSD)
  • Карты microSD для потребительских и мобильных приложений
  • Диск на плате
  • Интернет-техника
  • Высокая надежность и промышленные карты Compact FlashTM (CFC)
  • Встроенная флэш-память eMMC
  • Встроенные флэш-накопители «система в корпусе» (SiP) (eSSD)
  • Факсимиле, принтеры и копировальные аппараты
  • Карты PCMCIA или ATA PC
  • Мультичиповые модули (MCM)
999
В наличии
Узнать цену
DP8421AVX-20 Ультралайф

Обзор DP8421AVX-20


Он упакован с использованием материалов Tape & Reel (TR). В целях экономии места на плате он установлен в 68-LCC (J-Lead). Являясь конденсатором динамической оперативной памяти (DRAM), она обеспечивает превосходное качество и надежную работу. Рекомендуется установка 0°C~70°C в качестве рабочей температуры. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Имеются и другие дополнительные электронные компоненты с номером детали DP8421. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовались 68 оконечных устройств. В качестве напряжения питания устройства используется напряжение 5В. Компонент с наименьшим допуском к высоким температурам Установите температуру оплавления НЕ УКАЗАН. Он подпадает под обслуживание памяти контроллера. Обеспечивая источник питания напряжением 5 В, можно достичь высокого уровня эффективности. Интегрированное устройство предназначено для работы с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM в качестве ИБП/модулей/периферийных микросхем. Максимальный ток питания не должен превышать 75 мА.

Особенности DP8421AVX-20


Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead).
Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера
Рабочая температура 0°C~70°C

Приложения DP8421AVX-20


Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8421AVX-20.

  • Диск на плате
  • Интернет-техника
  • Мультичиповые модули (MCM)
  • Высокая надежность и промышленные карты Compact FlashTM (CFC)
  • Встроенные флэш-накопители «система в корпусе» (SiP) (eSSD)
  • Серверы
  • Компьютеры
  • Модули NVSRAM
  • Системы торговых точек
  • SecureDigital- SD-карты промышленного и потребительского применения
999
В наличии
Узнать цену
BQ2201SNTR Ультралайф

Обзор BQ2201SNTR


В комплект поставки входит пакет материалов Tape & Reel (TR). 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Этот тип энергонезависимой SRAM отличается высоким качеством и обеспечивает надежную работу. Для рабочей среды следует устанавливать температуру 0°C~70°C. Для нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали BQ2201 можно использовать для поиска дополнительных электронных деталей, относящихся к этой детали. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 8-ми оконечных устройств. Напряжение питания устройства составляет 5В. На этой плате настроены контакты 8. Предел 260 температур нагрева, определенных компонентом, устойчивым к высоким температурам является низкая температура. В этом типе электроники имеется 8 каналов. Схемы управления питанием — это подкатегория, в которую он включен. Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 5В. В данном случае используется оригинальная микросхема ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Минимальное значение напряжения питания должно быть выше 4,5 В. Напряжения до 5,5 могут попадать без ухудшения характеристик системы и повреждения внутренних цепей. Максимальный ток, который можно подать без ухудшения характеристики внутренней цепи, составляет 5 мА.

Особенности BQ2201SNTR


Доступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм).
Энергонезависимая SRAM от типа контроллера
Рабочая температура 0°C~70°C

Приложения BQ2201SNTR


Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SNTR.

  • Мультичиповые пакеты (MCP)
  • Встроенная вспышка
  • Сверхнадежный флэш-накопитель
  • Мультичиповые модули (MCM)
  • Карты microSD для потребительских и мобильных приложений
  • Серверы
  • Мультичиповый корпус (MCP)
  • Диск на плате
  • eUSB, встроенный USB-модуль
  • Интеграция встроенного флэш-накопителя или встроенного диска (DoB)
999
В наличии
Узнать цену
BQ2201PNG4 Ультралайф

Обзор BQ2201PNG4


Он упакован из тюбика. Он реализован с использованием 8-DIP (0,300, 7,62 мм) для экономии места на плате. Энергонезависимый тип SRAM с высоким качеством и надежностью. В качестве рабочей температуры следует устанавливать 0°С~70°С. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии «Сквозное отверстие». По базовому номеру детали BQ2201 можно найти дополнительные электронные компоненты.

Особенности BQ2201PNG4


Доступен в корпусе 8-DIP (0,300, 7,62 мм).
Энергонезависимая SRAM от типа контроллера
Рабочая температура 0°C~70°C

Приложения BQ2201PNG4


Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201PNG4.

  • МультимедиакартыТМ (ММС)
  • Медицинский инструмент и промышленная продукция
  • Мультичиповый корпус (MCP)
  • Мультичиповые пакеты (MCP)
  • Твердотельные диски (SSD)
  • Мультичиповые модули (MCM)
  • SecureDigital- SD-карты промышленного и потребительского применения
  • Высокая надежность и промышленные карты Compact FlashTM (CFC)
  • Микропроцессорные системы
  • Высокая надежность и промышленные твердотельные накопители (SSD)
999
В наличии
Узнать цену
DP8422AV-25 Ультралайф
10947
В наличии
Узнать цену
DP8421ATVX-25 Ультралайф

Обзор DP8421ATVX-25


В комплект поставки входят материалы компании Tape & Reel (TR). В целях экономии места на плате она предусмотрена в 68-LCC (J-Lead). Тип динамической оперативной памяти (DRAM) с высоким качеством и надежностью. Рекомендуется устанавливать температуру в пределах 0°C~70°C. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Используемый метод монтажа — поверхностный монтаж. Получите базовый номер детали DP8421, вы можете найти электронные компоненты, относящиеся к этой детали. Оконечная нагрузка 68 используется для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи. На устройстве подается примерно 5В вольт. В результате, что компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, предел температуры плавления НЕ УКАЗАН. Перечислены в подкатегории «Контроллеры памяти». Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. Имеется интеграция ИБП/УКС/периферийных микросхем в КОНТРОЛЛЕР ПАМЯТИ, DRAM. Не следует превышать ток питания более 95 мА.

Особенности DP8421ATVX-25


Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead).
Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера
Рабочая температура 0°C~70°C

Приложения DP8421ATVX-25


Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments DP8421ATVX-25.

  • Встроенные системы
  • Флэш-накопитель безопасности
  • Модули NVSRAM
  • Системы торговых точек
  • CFast-карты
  • Встроенные модули, включая У.2, М.2, МО-297 и МО-300.
  • eUSB, встроенный USB-модуль
  • Мультичиповые модули (MCM)
  • Компьютеры
  • Интернет-техника
999
В наличии
Узнать цену
Vishay Semiconductor Opto Division TFBS4652-TT1 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 115,2 кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сбоку
500
В наличии
Узнать цену
DRV8320SRTVR Техасские инструменты <h1>Texas Instruments DRV8320SRTVR</h1><h2>Обзор</h2><p>Texas Instruments DRV8320SRTVR — это высокоинтегрированный трехфазный драйвер затвора, предназначенный для использования в различных приложениях управления двигателями. Этот привод двигателя, разработанный с учетом точности, надежности и универсальности, обеспечивает эффективное и высокопроизводительное управление двигателем в компактном форм-факторе.</p><h2>Основные характеристики</h2><h3>1. Надежное управление двигателем</h3><p>DRV8320SRTVR предлагает надежные и эффективные решения управления двигателем для различных применений, что делает его подходящим для различных отраслей промышленности, от робототехники до промышленной автоматизации.</p><h3>2. Трехфазный драйвер затвора</h3><p>Благодаря трехфазному драйверу затвора это устройство позволяет с организовать трехфазные бесщеточные двигатели постоянного тока (BLDC) и синхронными двигателями с постоянными магнитами (PMSM).</p>< ч3>3. Встроенная защита</h3><p>Созданная для безопасной и надежной работы, DRV8320SRTVR включает в себя различные функции защиты, включая защиту от перегрузки тока, защиту от перегрева и блокировку при пониженном напряжении (UVLO).</p><h3> 4. Точное управление</h3><p>В использовании преимуществ точного и точного управления работой вашего двигателя, для обеспечения плавности и баланса работы.</p><h3>5. Универсальный интерфейс</h3><p>DRV8320SRTVR поддерживает различные интерфейсы связи, включая SPI и PWM, что обеспечивает плавную интеграцию в широкий спектр системного управления.</p><h2>Приложения</h2><ul><li> Робототехника< /li><li>Промышленная автоматизация</li><li>Электрические транспортные средства</li><li>Системы отопления, вентиляции и кондиционирования</li><li>Бытовая электроника</li></ul><h2 >Технические характеристики</h2><h3>Электрические характеристики</h3><ul><li>Диапазон рабочего напряжения: от 8 В до 60 В</li><li> Пиковый ток привода: до 1,5 А</li> li><li >Диапазон рабочей температуры в зоне: от -40°C до 125°C</li></ul><h3>Информация о корпусе</h3><ul><li>Тип корпуса: 48-контактный VQFN< /li><li> Размеры: 7 мм x 7 мм.</li></ul><h2>Документация и поддержка</h2><p>Для получения подробной информации, технической документации и поддержки посетитель официального веб-сайта, Техас Инструменты.</p>< h2>Информация для заказа</h2><p>Чтобы заказать DRV8320SRTVR или получить информацию о ценах, наличии и оптовых заказах, обратитесь в наш отдел продаж или к авторизованным дистрибьюторам.</p>
598
В наличии
Узнать цену
Lite-On Inc. HSDL-3208-S25 Лайт-Он Инк. IRDA-трансивер 115,2 кбит/с, вид сбоку
9720
В наличии
Узнать цену
Lite-On Inc. HSDL-3201#018 Лайт-Он Инк. IRDA-трансивер 115,2 кбод, вид сверху
2139
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM841-H16E4A3 Ром Полупроводник 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху
4311
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM841-H16E4A2 Ром Полупроводник 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху
1509
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM872-E4A Ром Полупроводник 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху
4435
В наличии
Узнать цену
Vishay Semiconductor Opto Division TFDU4301-TR3 Подразделение Vishay Semiconductor Opto IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку
4
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM960-H14E3A Ром Полупроводник IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку
4691
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM873-E2 Ром Полупроводник IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку
4017
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM872-H12E4A Ром Полупроводник 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху
9430
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM873-E2A Ром Полупроводник IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку
4831
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM973-H16E4A Ром Полупроводник 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сверху
3290
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM873-E4 Ром Полупроводник IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку
5614
В наличии
Узнать цену
Rohm Semiconductor RPM960-H14E3 Ром Полупроводник IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку
8430
В наличии
Узнать цену
Vishay Semiconductor Opto Division TFBS6711-TR3 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сбоку
6515
В наличии
Узнать цену
Vishay Semiconductor Opto Division TFBS6711-TT3 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сверху
1841 г.
В наличии
Узнать цену
Vishay Semiconductor Opto Division TFDU6108-TT3 19 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сверху
3830
В наличии
Узнать цену
Vishay Semiconductor Opto Division TFDU6300-TT1 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сверху
6640
В наличии
Узнать цену
Panasonic Electronic Components CND0313A Электронные компоненты Panasonic IRDA-трансивер 4 Мбит/с, вид сбоку
8532
В наличии
Узнать цену
Lite-On Inc. HSDL-3220-021 Лайт-Он Инк. 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сбоку
8144
В наличии
Узнать цену

Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.