Shine Ever примет участие в выставке ELECTRONICA в Мюнхене 12–15 ноября 2024 г.! ПРИХОДИТЕ К НАМ НА СТЕНД 118/2, зал C5
Моя корзинаМодули приемопередатчиков IrDA(215)
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Запас | Действие | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Острая микроэлектроника | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 6683 В наличии | Узнать цену | |||
| Острая микроэлектроника | 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 6599 В наличии | Узнать цену | |||
| Зилог | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 5280 В наличии | Узнать цену | |||
| Острая микроэлектроника | 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 3517 В наличии | Узнать цену | |||
| Зилог | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 8331 В наличии | Узнать цену | |||
| Зилог | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 1834 г. В наличии | Узнать цену | |||
 | Острая микроэлектроника | 115,2 Кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 4514 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 5633 В наличии | Узнать цену | |||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 4396 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 4 Мбит/с, вид сбоку | 7653 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 кбит/с, вид сверху | 1003 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 кбит/с, вид сбоку | 2840 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 кбит/с, вид сбоку | 6182 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 1,15 Мбит/с, вид сбоку | 5801 В наличии | Узнать цену | ||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 кбит/с, вид сбоку | 3768 В наличии | Узнать цену | ||
| Ультралайф | Обзор BQ2205LYPWRКомпания Tape & Reel (TR) упаковала его вместе своими материалами. Эта информация представлена в 16-TSSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) в целях экономии места на плате. Это высокопроизводительный и надежный тип энергонезависимой статической оперативной памяти. Для рабочей среды следует устанавливать температуру от -20°C до 70°C. Для обеспечения работы обычного устройства необходимо подавать напряжение 3–3,6 В. Используемый метод монтажа — поверхностный монтаж. Помимо этого номера детали, существуют и другие электронные компоненты, которые можно найти по базовому номеру детали BQ2205. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 16 оконечных устройств. На устройстве подается примерно 3,3В вольта. Он настроен на 16 контактов. Предел температуру оплавления 260. Определенным компонентом с наименьшей устойчивостью к высоким температурам. Это часы электроники с 16 режимами. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». 1 вывод для обеспечения передачи данных. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 3,3В. ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ — это тип оригинальной интегральной схемы, используемой в этом устройстве. Напряжение должно быть выше 3 В при минимальном значении напряжения питания. Что касается напряжения, то максимальное напряжение 3,6 возможно без ухудшения характеристик или повреждения внутренней схемы. На внутреннюю цепь можно подавать максимальный ток 0,5 мА, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения цепи. Особенности BQ2205LYPWRДоступен в корпусе 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -20°C~70°C Приложения BQ2205LYPWRСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2205LYPWR.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2205LYPWG4Товар упакован с использованием материалов Туба. 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) предусмотрена для экономии места на плате. Этот тип энергонезависимой SRAM отличается высоким качеством и обеспечивает надежную работу. В качестве рабочей температуры следует устанавливать -20°С~70°С. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 3В~3,6В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали BQ2205 можно использовать для поиска других электронных деталей. Для предотвращения отражения от конечных линий передачи имеется 16 оконечных устройств. Напряжение питания устройства составляет 3,3В. Устройство имеет 16 контактов. Компонент с наименьшей устойчивостью до высоких температур устанавливает предел температуры плавления 260. Как следует из названия, это электронный блок с 16 режимами. Схемы управления питанием — это подкатегория, в которую он включен. Данные передаются по 1 каналу. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 3,3В. В этом устройстве используется оригинальная микросхема типа ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Рекомендуется, чтобы минимальное напряжение питания было больше 3 В. Подача напряжения до 3,6 В не приводит к ухудшению характеристик или повреждению внутренних компонентов схемы. На внутреннюю цепь можно подавать максимальный ток 0,5 мА, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения цепи. Особенности BQ2205LYPWG4Доступен в корпусе 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -20°C~70°C Приложения BQ2205LYPWG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2205LYPWG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор DP8422ATVX-25Он упакован с использованием материалов Tape & Reel (TR). 84-LCC (J-Lead) предназначен для экономии места на плате. Тип динамической оперативной памяти (DRAM) с высоким качеством и надежностью. Для рабочей среды следует устанавливать температуру 0°C~70°C. Для нормальной работы необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. По базовому номеру детали DP8422 можно найти другие соответствующие электронные компоненты. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 84 оконечных устройств. На устройстве подается примерно 5В вольт. Предельная температура плавления НЕ УКАЗАНА Определенным компонентом, который при высоких температурах является более устойчивым. Модераторы памяти — это подкатегория, в которую он включен. Если предусмотрено питание 5 В, можно достичь высокой эффективности. Интегрированное устройство предназначено для работы с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM в качестве ИБП/модулей/периферийных микросхем. Максимальный ток питания не должен превышать 95 мА. Особенности DP8422ATVX-25Доступен в корпусе 84-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8422ATVX-25Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8422ATVX-25.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор DP8421AV-25В комплект входят упаковочные материалы для ванны. В целях экономии места на плате предусмотрена плата 68-LCC (J-Lead). Динамическая оперативная память (DRAM) отличается высоким качеством и надежностью работы. Рабочая температура должна составлять 0°C~70°C. Для нормальной работы требуется напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали DP8421 можно использовать для поиска других электронных деталей. В результате у него 68 контактов. Внутри ИБП/УКС/периферийной микросхемы нет внутренних компонентов, поэтому он интегрирован с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM. Особенности DP8421AV-25Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8421AV-25Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8421AV-25.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор NSBMC096VF-25Трей упаковал его вместе своими материалами. 132-BQFP с бампером предназначен для экономии места на плате. Это высокопроизводительный и надежный тип динамической оперативной памяти (DRAM). Для рабочей среды следует устанавливать температуру 0°C~70°C. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали NSBMC096. Концы линии передачи имеют 132 окончания, чтобы предотвратить отражение сигналов от конца. 5В – напряжение питания устройства. Он состоит из 132 каналов и представляет собой своеобразную электронную аппаратуру. Этот элемент относится к подкатегории «Контроллеры памяти». Используя источник питания 5 В, можно достичь высокой эффективности. Его ИБП, УК и периферийные микросхемы интегрированы с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ DRAM. Максимальный ток питания не должен превышать 100 мА. Особенности NSBMC096VF-25Доступен в корпусе с бампером 132-BQFP. Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения NSBMC096VF-25Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments NSBMC096VF-25.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор DP8421AV-20Компания Tube упаковала его вместе своими материалами. Он встроен в 68-LCC (J-Lead) для экономии места на плате. Тип динамической оперативной памяти (DRAM) с высоким качеством и надежностью. Установите рабочую температуру 0°C~70°C. Напряжение, необходимое для его нормальной работы, должно составлять 4,5–5,5 В. Для установки устройства используется метод, известный как Surface Mount. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали DP8421. На плате настроения 68-контактный разъем. ИБП/УК/периферийные микросхемы устройства интегрированы с контроллером памяти типа DRAM. Особенности DP8421AV-20Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8421AV-20Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments DP8421AV-20.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2204ASNTRТовар упакован с использованием материалов Tape & Reel (TR). В результате он выполнен в формате 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) для экономии места. В данном случае это чрезвычайно надежный и качественный тип энергонезависимой SRAM. Установите рабочую температуру 0°C~70°C. Для работы устройства необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется методом поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали BQ2204. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовались 16 оконечных устройств. 5В – напряжение питания устройства. На этом устройстве есть два 16 контактов. Компонент с наименьшей устойчивостью до высоких температур устанавливает предел температуры плавления 260. Электронный блок с 16 режимами. Являясь подкатегорией «Схемы управления питанием», он включен в это понятие. Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Используя источник питания 5 В, можно достичь высокой эффективности. В качестве микросхем оригинального типа используется ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Следите за тем, чтобы напряжение питания всегда было выше 4,5 В. Можно подать напряжение до 5,5 В без повреждения внутренней схемы или ухудшения характеристики. Схема может выдерживать ток максимум 6 мА без ухудшения ее характеристик и повреждений. Особенности BQ2204ASNTRДоступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения BQ2204ASNTRСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASNTR.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2201SN-NTRВ комплект поставки входят материалы компании Tape & Reel (TR). 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Существует несколько типов энергонезависимой SRAM, качественного и надежного типа. Рабочая температура должна быть установлена на уровне -40°C~85°C. Для нормальной работы необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Технология монтажа основана на методе поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали BQ2201. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 8-ми оконечных устройств. 5В – напряжение питания устройства. На плате четыре 8 контакта. Предел 260 температур плавления. Определен компонентом с наименьшим температурным допуском. Перечислены в подкатегории «Схемы управления питанием». Передача данных по обеспечению по 1 каналу. Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. Аналоговая микросхема такого типа обозначается как ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Напряжение должно быть выше 4,5 В при минимальном значении напряжения питания. Подача напряжения до 5,5 В не приводит к ухудшению характеристики или повреждению внутренних компонентов схемы. Максимальный ток, который можно обеспечить без ухудшения характеристики или повреждения внутренней схемы, составляет 5 мА. Особенности BQ2201SN-NTRДоступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения BQ2201SN-NTRСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SN-NTR.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор DP8422AV-20Предоставляется упаковка с материалами Туба. В результате он встроил 84-LCC (J-Lead) для экономии места. В данном случае это чрезвычайно надежный и качественный тип динамической оперативной памяти (DRAM). Установите рабочую температуру 0°C~70°C. Для нормальной работы необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Для получения базового номера детали DP8422 можно использовать дополнительные электронные компоненты. На плате настроений 84 контакта. Он интегрирован с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM в виде ИБП/UCS/периферийной микросхемы. Особенности DP8422AV-20Доступен в корпусе 84-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8422AV-20Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8422AV-20.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Компания по производству микромощных аккумуляторов | Обзор XCCACE-TQG144IТовар упакован с использованием материалов Туба. 144-LQFP предусмотрен для экономии места на плате. Этот тип CompactFlash отличается высоким качеством и надежностью. Рабочая температура должна быть -40°C~85°C. Для нормальной работы необходимо подать напряжение 2,25–3,6 В. Технология монтажа основана на методе поверхностного монтажа. Имеются и другие дополнительные электронные компоненты, для номера детали XCCACE. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи используется 144 оконечных устройства. 2,5В – это напряжение питания устройства. На плате настроения 144-контактный разъем. В зависимости от того, насколько компонент с наименьшей устойчивостью к высоким температурам, значение 260 будет определять предел температуры оплавления. Он подпадает под обслуживание памяти контроллера. Источники питания 2,5/3,33,3В обеспечивают высокий КПД. Интегрированное устройство предназначено для работы с ВТОРИЧНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ ЗУ, ФЛЕШ-НАКОПИТЕЛЕМ в качестве ИБП/модулей/периферийных микросхем. Максимальный ток питания не должен превышать 0,42 мА. Особенности XCCACE-TQG144IДоступен в пакете 144-LQFP. CompactFlash как тип контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения XCCACE-TQG144IСуществует множество приложений для контроллеров памяти Xilinx Inc. XCCACE-TQG144I.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2201SN-NG4Материалы: Трубка включена в упаковку. В целях экономии места на плате он выполнен в формате 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). В данном случае это чрезвычайно надежный и качественный тип энергонезависимой SRAM. Рабочая температура должна быть установлена на уровне -40°C~85°C. Для нормальной работы устройства необходимо обеспечить напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, существуют и другие электронные компоненты, которые можно найти по базовому номеру детали BQ2201. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 8-ми оконечных устройств. Устройство имеет напряжение питания 5В. Устройство имеет 8 контактов. Предел нагревания до 260 градусов. Определенный компонент, который поддерживает высокую температуру, является низкой температурой. Использованы электронные апартаменты с 8 режимами. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Передача данных по обеспечению по 1 каналу. Источники питания 5В обеспечивают высокий КПД. В качестве микросхем оригинального типа используется ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Можно подавать ток до 5 мА, не влияя на характеристики и не повреждая внутреннюю схему. Устройство потребляет напряжение 5В от своего источника питания. Особенности BQ2201SN-NG4Доступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Рабочее напряжение питания 5В Приложения BQ2201SN-NG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SN-NG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2201SNG4В упаковке использованы материалы Туба. В целях экономии места на плате он выполнен в формате 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Существует несколько типов энергонезависимой SRAM, качественного и надежного типа. 0°C~70°C — рекомендуемая рабочая температура. Для работы устройства необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Другие комплектующие электронные компоненты можно найти по базовому номеру детали BQ2201. Оконечная нагрузка 8 используется для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи. На устройстве подается примерно 5В вольт. Число контактов равно 8. В зависимости от того, насколько компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, число 260 будет определять предел температуры оплавления. Как следует из названия, это электронная аппаратура на 8 каналов. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. В данном случае используется оригинальная микросхема ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Информация может храниться в памяти SRAM. Максимальный ток, который можно подать без ухудшения характеристики внутренней цепи, составляет 5 мА. В результате, что устройство потребляет ток своего источника тока, получает ток 3 мА. Устройства потребляют напряжение от своих источников питания для генерации 5 В. Особенности BQ2201SNG4Доступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Рабочий ток питания 3 мА Рабочее напряжение питания 5В Приложения BQ2201SNG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SNG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2201SN-NКомпания Tube упаковала его вместе своими материалами. В результате он выполнен в формате 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) для экономии места. Энергонезависимый тип SRAM с высоким качеством и надежностью. Рекомендуемая рабочая температура -40°C~85°C. Напряжение, необходимое для его нормальной работы, должно составлять 4,5–5,5 В. Технология монтажа основана на методе поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, существуют и другие электронные компоненты, которые можно найти по базовому номеру детали BQ2201. Обычно используется 8 оконечных устройств для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи. 5В – напряжение питания устройства. На плате настроений 8 контактов. В результате предел температуры оплавления 260° Определенный компонент имеет наименьшую устойчивость к минимальным температурам. В этом процессе применяется электронное оборудование с 8 условиями. Перечислены в подкатегории «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. В данном случае типом недорогой ИС является ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. SRAM — это тип памяти, необходимый для хранения информации. Минимальное напряжение питания должно поддерживаться на уровне 4,5 В. При воздействии максимального напряжения 5,5 В характеристики внутренней цепи не повреждаются и не ухудшаются. Максимальный ток, который можно обеспечить без ухудшения характеристики или повреждения внутренней схемы, составляет 5 мА. Особенности BQ2201SN-NДоступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения BQ2201SN-NСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SN-N.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор DP8422AVX-25В комплект поставки упаковочных материалов входит лента и катушка (TR). Эта информация представлена в 84-LCC (J-Lead) в целях экономии места на плате. Являясь конденсатором динамической оперативной памяти (DRAM), она обеспечивает превосходное качество и надежную работу. Можно поддерживать температуру в диапазоне от 0°C до 70°C. Для работы устройства необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Для получения базового номера детали DP8422 можно использовать дополнительные электронные компоненты. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовалось 84 окончания. Данное устройство питается напряжением 5В. Предельная температура оплавления НЕ УКАЗАНА Определенным компонентом с наименьшим температурным допуском. Для этого товара есть подкатегория Контроллеры памяти. Источники питания 5В обеспечивают высокий КПД. Внутри ИБП/УКС/периферийной микросхемы нет внутренних компонентов, поэтому он интегрирован с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM. Не следует превышать ток питания более 95 мА. Особенности DP8422AVX-25Доступен в корпусе 84-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8422AVX-25Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments DP8422AVX-25.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор DP8422ATVX-25Он упакован с использованием материалов Tape & Reel (TR). 84-LCC (J-Lead) предназначен для экономии места на плате. Тип динамической оперативной памяти (DRAM) с высоким качеством и надежностью. Для рабочей среды следует устанавливать температуру 0°C~70°C. Для нормальной работы необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. По базовому номеру детали DP8422 можно найти другие соответствующие электронные компоненты. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 84 оконечных устройств. На устройстве подается примерно 5В вольт. Предельная температура плавления НЕ УКАЗАНА Определенным компонентом, который при высоких температурах является более устойчивым. Модераторы памяти — это подкатегория, в которую он включен. Если предусмотрено питание 5 В, можно достичь высокой эффективности. Интегрированное устройство предназначено для работы с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM в качестве ИБП/модулей/периферийных микросхем. Максимальный ток питания не должен превышать 95 мА. Особенности DP8422ATVX-25Доступен в корпусе 84-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8422ATVX-25Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8422ATVX-25.
| 999 В наличии | Узнать цену |
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
