Shine Ever примет участие в выставке ELECTRONICA в Мюнхене 12–15 ноября 2024 г.! ПРИХОДИТЕ К НАМ НА СТЕНД 118/2, зал C5
Моя корзинаМодули приемопередатчиков IrDA(215)
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Запас | Действие | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1152 Мбит/с (MIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 9567 В наличии | Узнать цену | ||
| Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сбоку | 2292 В наличии | Узнать цену | |||
| Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 6709 В наличии | Узнать цену | |||
| Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 2581 В наличии | Узнать цену | |||
| Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 4 Мбит/с (FIR) IRDA-трансивер, вид сверху | 7854 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2204APNКомпания Tube упаковала его вместе своими материалами. 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Этот тип энергонезависимой SRAM отличается высоким качеством и обеспечивает надежную работу. 0°C~70°C — рекомендуемая рабочая температура. Для нормальной работы необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется методом сквозного монтажа. Помимо этого номера детали, существуют и другие электронные компоненты, которые можно найти по базовому номеру детали BQ2204. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 16 оконечных устройств. На устройство подается напряжение 5В. Он настроен на 16 контактов. Всего на этом типе электроники 16 каналов. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Передача данных по обеспечению использования счета 1 канал. Источники питания на 5 В способны достичь высокого уровня КПД. В качестве оригинальной микросхемы используется тип ЦЕПИ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Тип памяти SRAM используется для хранения данных. Напряжение питания должно быть не менее 4,5 В выше минимального значения. При воздействии максимального напряжения 5,5 В характеристики внутренней цепи не повреждаются и не ухудшаются. Максимальный ток, который можно подать без ухудшения характеристики или повреждения внутренней цепи, составляет всего 6 мА. Возможности BQ2204APNДоступен в корпусе 16-DIP (0,300, 7,62 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения BQ2204APNСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204APN.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2204ASNПредоставляется упаковка с материалами Туба. 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Обнаружен высокий уровень качества и надежности, это тип энергонезависимой статической оперативной памяти. Рабочая температура должна быть установлена на уровне 0°C~70°C. Для нормальной работы устройства необходимо обеспечить напряжение 4,5–5,5 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Получите базовый номер детали BQ2204, вы можете найти электронные компоненты, относящиеся к этой детали. Обычно используется 16 оконечных устройств для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи. На устройство подается напряжение 5В. На плате расположено 16 контактов. Это основано на компоненте с наименьшей устойчивостью к минимальным температурам, которые мы установили пределом температуры оплавления 260. Это время электроники с 16 режимами. Перечислены в подкатегории «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 5В. В этом случае применяется тип IC ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ. Минимальное напряжение питания должно быть выше 4,5 В. Можно подать напряжение до 5,5 В без повреждения внутренней схемы или ухудшения характеристики. Максимальный ток 6 мА может подавать без ухудшения характеристик цепи или ее повреждения. Особенности BQ2204ASNДоступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения BQ2204ASNСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASN.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2205LYPWG4Товар упакован с использованием материалов Туба. 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) предусмотрена для экономии места на плате. Этот тип энергонезависимой SRAM отличается высоким качеством и обеспечивает надежную работу. В качестве рабочей температуры следует устанавливать -20°С~70°С. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 3В~3,6В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали BQ2205 можно использовать для поиска других электронных деталей. Для предотвращения отражения от конечных линий передачи имеется 16 оконечных устройств. Напряжение питания устройства составляет 3,3В. Устройство имеет 16 контактов. Компонент с наименьшей устойчивостью до высоких температур устанавливает предел температуры плавления 260. Как следует из названия, это электронный блок с 16 режимами. Схемы управления питанием — это подкатегория, в которую он включен. Данные передаются по 1 каналу. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 3,3В. В этом устройстве используется оригинальная микросхема типа ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Рекомендуется, чтобы минимальное напряжение питания было больше 3 В. Подача напряжения до 3,6 В не приводит к ухудшению характеристик или повреждению внутренних компонентов схемы. На внутреннюю цепь можно подавать максимальный ток 0,5 мА, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения цепи. Особенности BQ2205LYPWG4Доступен в корпусе 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -20°C~70°C Приложения BQ2205LYPWG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2205LYPWG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор DP8421AVX-25Изделие упаковано с использованием материалов компании Tape & Reel (TR). В целях экономии места на плате предусмотрена плата 68-LCC (J-Lead). Тип динамической оперативной памяти (DRAM) с высоким качеством и надежностью. Для рабочей среды следует устанавливать температуру 0°C~70°C. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Дополнительные электронные компоненты можно найти по базовому номеру детали DP8421. Обычно используется 68 оконечных устройств, чтобы предотвратить отражение сигналов от конечных линий передачи. На устройство подается напряжение 5В. В результате, что компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, предел температуры плавления НЕ УКАЗАН. Этот элемент относится к подкатегории «Контроллеры памяти». Высокого КПД можно достичь, используя источник питания напряжением 5В. Микросхема ИБП/УКС/периферийного устройства, интегрированная с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ DRAM. От источника питания следует потреблять ток не более 95 мА-ампер. Особенности DP8421AVX-25Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8421AVX-25Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8421AVX-25.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор DP8421AV-25В комплект входят упаковочные материалы для ванны. В целях экономии места на плате предусмотрена плата 68-LCC (J-Lead). Динамическая оперативная память (DRAM) отличается высоким качеством и надежностью работы. Рабочая температура должна составлять 0°C~70°C. Для нормальной работы требуется напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали DP8421 можно использовать для поиска других электронных деталей. В результате у него 68 контактов. Внутри ИБП/УКС/периферийной микросхемы нет внутренних компонентов, поэтому он интегрирован с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ, DRAM. Особенности DP8421AV-25Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8421AV-25Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8421AV-25.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2204ASNTRТовар упакован с использованием материалов Tape & Reel (TR). В результате он выполнен в формате 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) для экономии места. В данном случае это чрезвычайно надежный и качественный тип энергонезависимой SRAM. Установите рабочую температуру 0°C~70°C. Для работы устройства необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется методом поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали BQ2204. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовались 16 оконечных устройств. 5В – напряжение питания устройства. На этом устройстве есть два 16 контактов. Компонент с наименьшей устойчивостью до высоких температур устанавливает предел температуры плавления 260. Электронный блок с 16 режимами. Являясь подкатегорией «Схемы управления питанием», он включен в это понятие. Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Используя источник питания 5 В, можно достичь высокой эффективности. В качестве микросхем оригинального типа используется ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Следите за тем, чтобы напряжение питания всегда было выше 4,5 В. Можно подать напряжение до 5,5 В без повреждения внутренней схемы или ухудшения характеристики. Схема может выдерживать ток максимум 6 мА без ухудшения ее характеристик и повреждений. Особенности BQ2204ASNTRДоступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения BQ2204ASNTRСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASNTR.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2201SN-NTRВ комплект поставки входят материалы компании Tape & Reel (TR). 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Существует несколько типов энергонезависимой SRAM, качественного и надежного типа. Рабочая температура должна быть установлена на уровне -40°C~85°C. Для нормальной работы необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Технология монтажа основана на методе поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали BQ2201. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 8-ми оконечных устройств. 5В – напряжение питания устройства. На плате четыре 8 контакта. Предел 260 температур плавления. Определен компонентом с наименьшим температурным допуском. Перечислены в подкатегории «Схемы управления питанием». Передача данных по обеспечению по 1 каналу. Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. Аналоговая микросхема такого типа обозначается как ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Напряжение должно быть выше 4,5 В при минимальном значении напряжения питания. Подача напряжения до 5,5 В не приводит к ухудшению характеристики или повреждению внутренних компонентов схемы. Максимальный ток, который можно обеспечить без ухудшения характеристики или повреждения внутренней схемы, составляет 5 мА. Особенности BQ2201SN-NTRДоступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения BQ2201SN-NTRСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SN-NTR.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2201PNG4Он упакован из тюбика. Он реализован с использованием 8-DIP (0,300, 7,62 мм) для экономии места на плате. Энергонезависимый тип SRAM с высоким качеством и надежностью. В качестве рабочей температуры следует устанавливать 0°С~70°С. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии «Сквозное отверстие». По базовому номеру детали BQ2201 можно найти дополнительные электронные компоненты. Особенности BQ2201PNG4Доступен в корпусе 8-DIP (0,300, 7,62 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения BQ2201PNG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201PNG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | 10947 В наличии | Узнать цену | ||||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2204ASN-NTRG4Компания Tape & Reel (TR) упаковала его вместе своими материалами. 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Это высокопроизводительный и надежный тип энергонезависимой статической оперативной памяти. В качестве рабочей температуры следует устанавливать -40°С~85°С. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Используемый метод монтажа — поверхностный монтаж. Получите базовый номер детали BQ2204, вы можете найти электронные компоненты, относящиеся к этой детали. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовались 16 оконечных устройств. 5В – напряжение питания устройства. На плате настроения 16-контактный разъем. В зависимости от того, насколько компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, НЕ УКАЗАНО будет определять предел температуры оплавления. Являясь подкатегорией «Схемы управления питанием», он включен в это понятие. Имеется 1 канал, предназначенный для программного обеспечения передачи данных. Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. Как видите, тип оригинальной микросхемы — ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Минимальное напряжение питания должно быть выше 4,5 В. В схеме можно подать напряжение до 5,5 В, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения внутренних компонентов. На внутреннюю цепь можно подавать максимальный ток 6 мА, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения цепи. Особенности BQ2204ASN-NTRG4Доступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения BQ2204ASN-NTRG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASN-NTRG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор BQ2201SNG4В упаковке использованы материалы Туба. В целях экономии места на плате он выполнен в формате 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Существует несколько типов энергонезависимой SRAM, качественного и надежного типа. 0°C~70°C — рекомендуемая рабочая температура. Для работы устройства необходимо подавать напряжение 4,5–5,5 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Другие комплектующие электронные компоненты можно найти по базовому номеру детали BQ2201. Оконечная нагрузка 8 используется для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи. На устройстве подается примерно 5В вольт. Число контактов равно 8. В зависимости от того, насколько компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, число 260 будет определять предел температуры оплавления. Как следует из названия, это электронная аппаратура на 8 каналов. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. В данном случае используется оригинальная микросхема ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Информация может храниться в памяти SRAM. Максимальный ток, который можно подать без ухудшения характеристики внутренней цепи, составляет 5 мА. В результате, что устройство потребляет ток своего источника тока, получает ток 3 мА. Устройства потребляют напряжение от своих источников питания для генерации 5 В. Особенности BQ2201SNG4Доступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Рабочий ток питания 3 мА Рабочее напряжение питания 5В Приложения BQ2201SNG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SNG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Техасские инструменты | Обзор DP8421ATVX-25В комплект поставки входят материалы компании Tape & Reel (TR). В целях экономии места на плате она предусмотрена в 68-LCC (J-Lead). Тип динамической оперативной памяти (DRAM) с высоким качеством и надежностью. Рекомендуется устанавливать температуру в пределах 0°C~70°C. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Используемый метод монтажа — поверхностный монтаж. Получите базовый номер детали DP8421, вы можете найти электронные компоненты, относящиеся к этой детали. Оконечная нагрузка 68 используется для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи. На устройстве подается примерно 5В вольт. В результате, что компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, предел температуры плавления НЕ УКАЗАН. Перечислены в подкатегории «Контроллеры памяти». Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. Имеется интеграция ИБП/УКС/периферийных микросхем в КОНТРОЛЛЕР ПАМЯТИ, DRAM. Не следует превышать ток питания более 95 мА. Особенности DP8421ATVX-25Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8421ATVX-25Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments DP8421ATVX-25.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2204ASNПредоставляется упаковка с материалами Туба. 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Обнаружен высокий уровень качества и надежности, это тип энергонезависимой статической оперативной памяти. Рабочая температура должна быть установлена на уровне 0°C~70°C. Для нормальной работы устройства необходимо обеспечить напряжение 4,5–5,5 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Получите базовый номер детали BQ2204, вы можете найти электронные компоненты, относящиеся к этой детали. Обычно используется 16 оконечных устройств для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи. На устройство подается напряжение 5В. На плате расположено 16 контактов. Это основано на компоненте с наименьшей устойчивостью к минимальным температурам, которые мы установили пределом температуры оплавления 260. Это время электроники с 16 режимами. Перечислены в подкатегории «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 5В. В этом случае применяется тип IC ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ. Минимальное напряжение питания должно быть выше 4,5 В. Можно подать напряжение до 5,5 В без повреждения внутренней схемы или ухудшения характеристики. Максимальный ток 6 мА может подавать без ухудшения характеристик цепи или ее повреждения. Особенности BQ2204ASNДоступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения BQ2204ASNСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASN.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2205LYPWПродукт упакован материалами Туба. 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) предусмотрена для экономии места на плате. Энергонезависимая SRAM отличается высоким качеством и надежностью. Рабочая температура должна быть установлена на уровне -20°C~70°C. Для нормальной работы должно подаваться напряжение 3–3,6 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали BQ2205. 16 оконечных устройств предотвращают отражения сигналов от конечных линий передачи. 3,3В – это напряжение питания устройства. На плате расположено 16 контактов. Предел 260 температур плавления. Определен компонентом с наименьшим температурным допуском. Это своего рода электронная аппаратура с 16 режимами. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. При наличии источников питания 3,3 В можно достичь высокой эффективности. В качестве оригинальной микросхемы используется тип ЦЕПИ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Тип информационной памяти – SRAM. Минимальное напряжение питания должно составлять 3 В. При воздействии максимального напряжения 3,6 В характеристики внутренней цепи не повреждаются и не ухудшаются. Максимальный ток, который можно обеспечить без ухудшения характеристики или повреждения внутренней схемы, составляет 0,5 мА. Особенности BQ2205LYPWДоступен в корпусе 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -20°C~70°C Приложения BQ2205LYPWСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2205LYPW.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2205LYPWRG4В комплект поставки упаковочных материалов входит лента и катушка (TR). В целях экономии места на плате предусмотрена в корпусе 16-ЦСОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Этот тип энергонезависимой SRAM отличается высоким качеством и обеспечивает надежную работу. Рекомендуемая рабочая температура -20°C~70°C. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 3В~3,6В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Кроме того, можно найти дополнительные электронные компоненты, используя базовый номер детали BQ2205. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи используются 16 оконечных устройств. Данное устройство питается напряжением 3,3В. На этой плате настроены контакты 16. Это основано на компонентах с наименьшей устойчивостью к минимальным температурам, которые мы определяем предел температуры плавления 260. В этом процессе регулируется электронное устройство с 16 режимами. Схемы управления питанием — это подкатегория, в которую он включен. Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Высокого КПД можно достичь, используя источники питания 3,3В. Как видите, тип оригинальной микросхемы — ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Минимальное значение напряжения питания должно быть выше 3В. Можно подать напряжение до 3,6В без повреждения внутренней схемы или ухудшения характеристики. Можно подавать ток максимум 0,5 мА, не вызывая ухудшения характеристик или повреждения внутренней цепи. Особенности BQ2205LYPWRG4Доступен в корпусе 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -20°C~70°C Приложения BQ2205LYPWRG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2205LYPWRG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор DP8421AVX-25Изделие упаковано с использованием материалов компании Tape & Reel (TR). В целях экономии места на плате предусмотрена плата 68-LCC (J-Lead). Тип динамической оперативной памяти (DRAM) с высоким качеством и надежностью. Для рабочей среды следует устанавливать температуру 0°C~70°C. Для обеспечения нормальной работы необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Дополнительные электронные компоненты можно найти по базовому номеру детали DP8421. Обычно используется 68 оконечных устройств, чтобы предотвратить отражение сигналов от конечных линий передачи. На устройство подается напряжение 5В. В результате, что компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, предел температуры плавления НЕ УКАЗАН. Этот элемент относится к подкатегории «Контроллеры памяти». Высокого КПД можно достичь, используя источник питания напряжением 5В. Микросхема ИБП/УКС/периферийного устройства, интегрированная с КОНТРОЛЛЕРОМ ПАМЯТИ DRAM. От источника питания следует потреблять ток не более 95 мА-ампер. Особенности DP8421AVX-25Доступен в корпусе 68-LCC (J-Lead). Динамическое ОЗУ (DRAM) как тип контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Приложения DP8421AVX-25Существует множество приложений для контроллера памяти Texas Instruments DP8421AVX-25.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2201SNПредоставляется упаковка с материалами Туба. Он оснащен 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) для экономии места на плате. Энергонезависимая SRAM отличается высоким качеством и надежностью. Рабочая температура должна быть установлена на уровне 0°C~70°C. Напряжение, необходимое для его нормальной работы, должно составлять 4,5–5,5 В. Монтируется по технологии поверхностного монтажа. Другие комплектующие электронные компоненты можно найти по базовому номеру детали BQ2201. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовались 8 оконечных устройств. Работает при напряжении питания 5В. Он настроен на 8 контактов. Предел температуру оплавления 260. Определенным компонентом с наименьшей устойчивостью к высоким температурам. Электронная квартира с 8 режимами. Этот элемент относится к подкатегории «Схемы управления питанием». Для обеспечения передачи данных имеется 1 канал. Источники питания на 5 В способны достичь высокого уровня КПД. Существует тип памяти, называемый SRAM, который используется для хранения информации. Можно подавать ток до 5 мА, не влияя на характеристики и не повреждая внутреннюю схему. 3мА работает от питания устройства. Устройство потребляет напряжение 5В от своего источника питания. Особенности BQ2201SNДоступен в корпусе 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура 0°C~70°C Рабочий ток питания 3 мА Рабочее напряжение питания 5В Приложения BQ2201SNСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201SN.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Компания по производству микромощных аккумуляторов | Обзор XCCACE-TQ144IОн упакован с лотком из материалов. В целях экономии места на плате он расположен в 144-LQFP. Это высококачественный и надежный тип CompactFlash. В качестве рабочей температуры следует устанавливать -40°С~85°С. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 2,25–3,6 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Базовый номер детали XCCACE можно использовать для поиска других электронных деталей. Концы линии передачи имеют 144 оконечных устройства для предотвращения отражения сигналов от конца. Для устройства имеется напряжение питания 2,5В. На этом устройстве есть два 144 контакта. Предел температуры оплавления 225 Определенным компонентом с наименьшей устойчивостью к высоким температурам. Подкатегория «Контроллеры памяти» включает его. Обеспечивая источник питания 2,5/3,33,3 В, можно достичь высокого уровня эффективности. Микросхема IBP/UCS/периферийного устройства, интегрированная с ВТОРИЧНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ ЗУ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬЮ. В идеале максимальный ток питания не должен превышать 0,42 мА. XCCACE-TQ144I ОсобенностиДоступен в пакете 144-LQFP. CompactFlash как тип контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения XCCACE-TQ144IСуществует множество приложений для контроллеров памяти Xilinx Inc. XCCACE-TQ144I.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2204ASN-NTRТовар упакован с использованием материалов Tape & Reel (TR). 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Существует несколько типов энергонезависимой SRAM, качественного и надежного типа. Рекомендуемая рабочая температура -40°C~85°C. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Крепление выполнено по технологии поверхностного монтажа. Имеются и другие дополнительные электронные компоненты с номером детали BQ2204. Сигналы не отражаются от конечных линий передачи с помощью 16 оконечных устройств. На устройство подается напряжение 5В. Конфигурация контактов — 16. Предел температуры плавления НЕ УКАЗАНО Определенным компонентом с наименьшей устойчивостью к низким температурам. В этом типе электроники 16 каналов. Для этого товара есть подкатегория «Схемы управления питанием». Возможна передача данных по 1 каналу. Источники питания 5В обеспечивают высокий КПД. Аналоговая микросхема такого типа обозначается как ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. В идеале напряжение питания должно быть выше 4,5В. В схеме можно подать напряжение до 5,5 В, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения внутренних компонентов. Можно подавать ток до 6 мА, не влияя на характеристики и не повреждая внутреннюю схему. Особенности BQ2204ASN-NTRДоступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения BQ2204ASN-NTRСуществует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASN-NTR.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Ультралайф | Обзор BQ2204ASN-NTRG4Компания Tape & Reel (TR) упаковала его вместе своими материалами. 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) предусмотрен для экономии места на плате. Это высокопроизводительный и надежный тип энергонезависимой статической оперативной памяти. В качестве рабочей температуры следует устанавливать -40°С~85°С. Для нормальной работы устройства необходимо подать напряжение 4,5–5,5 В. Используемый метод монтажа — поверхностный монтаж. Получите базовый номер детали BQ2204, вы можете найти электронные компоненты, относящиеся к этой детали. Для предотвращения отражения сигналов от конечных линий передачи использовались 16 оконечных устройств. 5В – напряжение питания устройства. На плате настроения 16-контактный разъем. В зависимости от того, насколько компонент имеет наименьшую устойчивость к высоким температурам, НЕ УКАЗАНО будет определять предел температуры оплавления. Являясь подкатегорией «Схемы управления питанием», он включен в это понятие. Имеется 1 канал, предназначенный для программного обеспечения передачи данных. Высокая эффективность может быть достигнута при наличии источника питания 5 В. Как видите, тип оригинальной микросхемы — ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. Минимальное напряжение питания должно быть выше 4,5 В. В схеме можно подать напряжение до 5,5 В, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения внутренних компонентов. На внутреннюю цепь можно подавать максимальный ток 6 мА, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения цепи. Особенности BQ2204ASN-NTRG4Доступен в корпусе 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм). Энергонезависимая SRAM от типа контроллера Рабочая температура -40°C~85°C Приложения BQ2204ASN-NTRG4Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2204ASN-NTRG4.
| 999 В наличии | Узнать цену | |||
| Лайт-Он Инк. | IRDA-трансивер 115,2 кбит/с, вид сбоку | 7787 В наличии | Узнать цену | ||
| Ром Полупроводник | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR) | 2343 В наличии | Узнать цену | ||
| Ром Полупроводник | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR) | 7637 В наличии | Узнать цену | ||
| Ром Полупроводник | IRDA-трансивер 115,2 Кбит/с (SIR), вид сбоку | 9333 В наличии | Узнать цену | ||
| Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 115,2 кбит/с (SIR) IRDA-трансивер, вид сбоку | 6411 В наличии | Узнать цену |
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
